龙世兵

导师介绍

姓名

龙世兵


工作单位

中国科学技术大学先进技术研究院/中国科学技术大学微电子学院

学位/职称

博士/教授

办公室电话

0551-63603047

Email

shibinglong@ustc.edu.cn

教育背景

1995.09--1999.07,北京科技大学物理系应用物理专业本科生;

1999.09--2002.03,北京科技大学材料物理系材料物理与化学专业硕士研究生。

2002.04--2005.06,中国科学院微电子研究所,微电子学与固体电子学专业博士研究生。

研究方向

宽禁带半导体功率电子器件和紫外探测器、存储器

任职经历

2005.07--2018.03,中国科学院微电子研究所,助理研究员、副研究员、研究员;

2011.02--2012.02,西班牙巴塞罗那自治大学,访问学者;

2019.03--至今,中国科学技术大学,教授,国家示范性微电子学院常务副院长。

获得荣誉、奖项

2018年,中国科学院杰出科技成就奖,新型存储器件及集成研究集体,突出贡献者;

2016年,国家自然科学奖,二等奖,氧化物阻变存储器机理与性能调控,排名4/5;

2013年,国家技术发明奖,二等奖,高精度微纳结构掩模制造核心技术,排名6/6;

2015年,中国电子学会科学技术奖,自然科学类一等奖,阻变存储器机理与性能调控,排名5/15;

2010年,北京市科学技术奖,一等奖,微纳结构“自上而下” 制备核心技术与集成应用,排名5/15;

2014年,北京市科学技术奖,二等奖,阻变存储器及集成的基础研究,排名4/15;

2013年,国家自然科学基金优秀青年科学基金项目获得者,新型非挥发性阻变存储器。

主持、参与项目

2017-2022, 超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件基础研究, 中科院前沿科学重点项目,项目负责人;

2018-2020, 纳米阻变存储器的机理、表征和应用研究创新交叉团队, 中科院创新交叉团队项目,项目负责人;

2016-2021, 纳米阻变存储器的三维集成, 国家重点研发计划课题,课题负责人;

2009-2012, 32nm RRAM关键工艺和技术, 国家科技重大专项子课题,子课题负责人;

2009-2011, 基于二元金属氧化物的阻变存储器, 863项目,项目负责人;

2008-2010, 离子束溅射与刻蚀系统, 中国科学院重大科研装备研制项目,项目负责人。

论文、著作

在IEEE EDL/TED、Nat. Commun.、Adv. Mater.、Small、Adv. Electron. Mater.等期刊上发表SCI论文100余篇;全部论文近五年SCI他引2395次,H因子34;5篇论文入选ESI高被引论文。

获得授权发明专利63项;9项授权中国发明专利转移给中芯国际公司;74项授权/受理中国发明专利许可给武汉新芯公司。