学位/职称

博士

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教育背景

2006年9月-2010年6月 巢湖学院物理学本科

2010年9月-2013年6月 安徽大学材料科学与工程硕士

2013年9月-2017年6月 复旦大学微电子学与固体电子学博士

研究方向

1.器件模型建模/仿真

2.器件布局的设计

任职经历

2017年7月~ 至今，长鑫存储技术有限公司

主持、参与项目

长鑫19纳米与以下先进技术节点DRAM研发

个人获奖

2013年获得研究生国家奖学金。

代表性论著

1. Shi-Bing Qian, and et al，Erasing-Modes Dependent Performance of a-IGZO TFT Memory With Atomic-Layer-Deposited Ni Nanocrystal Charge Storage Layer.IEEE Transactions on Electron Devices, 2017,64(7):3023-3027.

2. Shi-Bing Qian, and et al,Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of High-Density Ni Nanoparticles for Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor Memory. Nanoscale Research Letters, 2017, 12: 138.

 3. Shi-Bing Qian, and et al, Electrically programmable-erasable In-Ga-Zn-O thin-film transistor memory with atomic-layer-deposited Al2O3/Pt nanocrystals/Al2O3 gate stack. AIP Advances,2015, 5: 127203.