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周步康
文章来源:
发布时间:2020-12-16 14:38:00
文章作者:
导师介绍
姓名 | 周步康 | |
学位/职称 | 博士/长鑫存储公司 主任工程师 | |
办公室电话 | ||
BuKang.Zhou@cxmt.com | ||
教育背景 | 中国科学技术大学 理学博士 凝聚态物理专业
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研究方向 | DRAM device (cell array) engineering | |
任职经历 | 2017.07-至今 长鑫存储技术有限公司 10G1 DRAM研发 | |
主持、参与项目 | 19nm DRAM存储工艺开发 | |
个人获奖 | 优秀党员,企业文化优秀员工 | |
代表性论著 | 发明专利: 一种多重深度接面结构应用于动态存储器 一种降低DRAM沟道漏电流的方法 一种梯形顶栅极结构应用于动态存储器 一种DRAM存储单元晶体管阈值电压的调整方法 一种基于精确测量电特性来确定Dummy数量的方法 一种精确测量动态随机存储器Cell电容值分布的方法 一种导电层间介质空洞的制备方法B 一种降低DRAM电容接触电阻的方法 一种导电层间介质空洞的制备方法 一种降低栅极多晶硅晶粒尺寸的方法 |