学位/职称

博士/高级工程师

办公室电话

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Email

ni_jinyu@126.com

教育背景

2004/09-2009/06，西安电子科技大学，微电子学与固体电子学专业，硕博连读

2000/09-2004/07，西安电子科技大学，电子科学与技术专业，本科

1994/08-2000/07，宁夏固原一中，高中/初中

研究方向

化合物半导体材料生长；化合物半导体微波功率器件设计与研制

任职经历

2011/12-至今，中国电子科技集团公司第55所，高级工程师

2009/12-2011/12，中国电子科技集团公司第55所，工程师

主持、参与项目

1. Si基GaN薄膜应力与微结构缺陷的关系研究，国家自然科学基金青年基金项目（61106130），2012-01至2014-12，主持。

2. 大尺寸Si基GaN材料外延生长技术研究，中国电子科技集团公司创新基金项目，2013.1-2014.12，主持。

3. 一种提高Si基GaN HEMT器件击穿电压的栅场板结构及工艺研究，江苏省自然科学基金面上研究项目（BK2012516）， 2012.07—2015.06，主持。

个人获奖

无。

代表性论著

1.    Si基GaN材料寄生导电层的研究，倪金玉、李忠辉、孔岑、周建军、陈堂胜、郁鑫鑫，固体电子学研究与进展，Vol. 33, No.4, 2013, 312-316.

2.     Improvement of electrical properties of AlGaNGaN heterostructures using multiple high-temperature AlN interlayers. J. Y. Ni, Y. Hao, J. S. Xue, Z. H. Xu, Z. F. Zhang, J. C. Zhang, L. A. Yang, J. F. Zhang. Vol. 7, No.7-8, 2010, 1934-1937.

3.     Reduction in leakage current in AlGaN/GaN HEMT with three Al-containing step-graded AlGaN buffer layers on silicon. Xinxin Yu, Jinyu Ni, Zhonghui Li, et al. Japanese Journal of applied physics. Vol. 53. No.5, 2014. 051001.

4.    Influence of the AlN nucleation layer on the properties of AlGaNGaN heterostructure on Si (111) substrates. Pan Lei, Dong Xun, Li Zhonghui, Luo Weike, Ni Jinyu, Applied Surface Science 447 (2018) 512–517.

5.    Growth of AlGaN/Gan hetero structures on Si using multiple stepgraded AlGaN layers and one AlGaN superlattice as buffer layer.  APWS2015，may，17-20th，seoul Korea，Ni Jinyu，oral presentation.