学位/职称

工学博士/研究员

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教育背景

1991/09-1995/07，河北大学，半导体物理专业，本科

1999/09-2004/01，天津大学，微电子学与固体电子学专业，硕士

2005/04-2008/08，天津大学，微电子学与固体电子学专业，博士

研究方向

化合物半导体

任职经历

1995/07-至今，中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部，研究员

主持、参与项目

1. 化合物半导体GaAs 、InP 材料(InP 部分)，XX型谱项目，1997-1999，参与（第二完成人）

2. 微波器件用InP 单晶材料研究，XX预研项目，1997-2000，参与（第二完成人）

3. 非掺杂半绝缘InP单晶材料，XX电子元器件科研项目，1999-2002，主持

4. 毫米波器件用磷化铟单晶材料，XX电子元器件科研项目，2002-2004，主持

5. 提高InP单晶材料热稳定性和均匀性研究，国防科技重点实验室基金项目，2002-2004，主持

6. 4"优质InP半导体单晶材料技术研究，武器装备先进材料技术预先研究项目，2001-2005，主持

7. 不同熔体配比条件下InP单晶生长及材料性质研究，国家自然科学基金项目（61076004），2006-2008，主持

8. 3吋InP 单晶衬底，国家重大科技专项,2011-2015，主持

9. 4英寸低掺杂半绝缘InP单晶材料应用开发，重大预研项目，2012-2016，主持

10. 4英寸磷化铟单晶片，共性支撑项目，2017-2020，主持

主持及参与国家及省部级课题三十余项。

个人获奖

1．2001年 XX科学技术奖，一等奖，排名第二

2．2002年 国家科技进步奖，二等奖，排名第二

3. 2006年 全国信息产业先进工作者

4. 2009年 河北省科学技术奖，自然科学奖，二等奖，排名第一

5．2019年 XX科学技术奖，一等奖，排名第一

6．2019年 中国电科集团科技进步奖 特等奖，排名第一

7. 2019年 中华人民共和国成立70周年纪念章

8. 2019年 中国电科集团十大领军人才 第一名

代表性论著

1. VInH4在InP材料中的影响，孙聂枫，杨光耀，吴霞宛，曹立新，赵权，郭维廉，赵有文，孙同年，功能材料与器件学报，Vol.6, No.4, Dec. 2000，p.316

2. Hydrogen neutralization effect in bulk N-type LEC InP materials, Niefeng Sun, Xiawan Wu, Xiang Wu, Youwen Zhao, Lixin Cao, Quan Zhao, Weilian Guo, Ji Zhang, Keyun Bi, Tongnian Sun, J. Cryst. Growth 225, 244(2001)

3. Role of deep traps in carrier generation and transport in differently doped InP wafers,  Niefeng Sun, Xiaolong Zhou, Tongnian Sun, et al, Materials Science in Semiconductor Processing 9 (2006) 390–393

4.  Investigation of morphology evolution of the In-rich inclusions and the corresponding defects in InP single crystals. S.J. Wang, N.F. Sun, L.J. Gao, Y.L. Shi, H.M. Shao, X.L. Li, Y. Wang,  L.J. Fu, H.S. Liu, T.N.Sun, Crystal Research and Technology, 2015, 50(8): 668-675. （被选为该刊物封面）

5. Characterization of Graphene TFET for Subterahertz Oscillator Xurui Mao, Beiju Huang, Xu Zhang, Niefeng Sun（孙聂枫）, Chuantong Cheng, Sheng Gan, Zhaoxin Geng, and Hongda Chen IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES VOL. 63, NO. 7, JULY 2016

1996年至今发表学术论文150余篇

专利：

1：注入原位合成连续VGF/VB生长化合物半导体单晶的制备方法，授权号：ZL201610135276.X，发明人：孙聂枫，王书杰，王阳，刘惠生，孙同年。

2：一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉。授权号：ZL201610135278.9，发明人：孙聂枫，王阳，王书杰，刘惠生，孙同年。

3：利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法，授权号：ZL201711298581.1，发明人：孙聂枫，王书杰，刘惠生，孙同年。

4：磷化铟晶片退火盒，授权号：ZL201410135092.4，发明人：王阳，孙聂枫，孙同年。

5：(美国专利)Device and method for continuous VGF crystal growth through rotation after horizontal injection synthesis, US10519563B2,Shujie Wang,Niefeng Sun, Huisheng Liu, Tongnian Sun,Yanlei Shi,Huimin Shao, Xiaolan Li, Yang Wang, LijieFu

申请和授权国内外专利50余项