学位/职称

博士/长鑫存储公司 Fellow

办公室电话

166 0565 9668

Email

Yaner.hu@cxmt.com

教育背景

电子工程博士，美国爱达荷大学

研究方向

− 大规模集成电路设计，存储器技术，高速接口技术,信号和电源完整性，3D堆叠DRAM研发等

任职经历

− Fellow, Shanghai Design Center, CXMT, 2019-present

− Senior Member of Technical Staff (SMTS), SI/PI R&D, Micron Technology, Inc., 2017-2019

− SMTS, Advanced Architecture Group, Micron Technology， Inc., 2007-2017

− Senior Designer, DRAM R&D, Micron Technology, Inc., 2000-2007

主持、参与项目

−   LPDDR5 SDRAM R&D

−   LPDDR4 SDRAM

−   SI/PI R&D for advanced GDDR6 & Other DRAM

−   Hybrid Memory Cube (HMC)

−   DDR1, 2, 3, 4 and GDDR3,  4, and other DRAMs

个人获奖

代表性论著

−   DRAM Circuit Design: Fundamental & High-Speed Topics

−   Published over 120 US & International patents

−   ISSCC Forum Invited Talk

−   ISSCC/JSSC paper in DRAM session