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吕志超
文章来源:
发布时间:2020-10-23 15:45:53
文章作者:
中国科学技术大学专业学位实践导师简况表
申请专业 | 电子信息 | 所在单位 | 睿科微电子有限公司 | |||||||
姓名 | 吕志超 | 性别 | 男 | 出生日期 | 198103 | 职称 | 博士 | 评定时间 | ||
最高学位 | 博士 | 授予时间 | 201012 | 授予学校 | University of Fl | 授予专业 | Electrical Engineering | |||
人才类型 | 校内推荐人 | 康一 | 申请导师类型 | 硕导 | ||||||
是否研究生导师 | 否 | 首次担任博导单位 | ||||||||
主要行政或学术兼职 |
指导研究生情况(博士共0人、硕士共0人,其中 位如下 ) | |
学位论文名称学生姓名学校名称类别毕业时间 | |
主要学习、工作、出国经历 | |
2018-05 – 现在: 合肥睿科微电子有限公司,合肥 2012 – 2018: Rambus Inc,美国Sunnyvale 2010 – 2012: Globalfoundries ,美国Sunnyvale 2010 – 2010: IMEC 欧洲微电子中心,比利时Leuven 2005 – 2010: University of Florida,美国Gainesville | |
主 要 研 究 方 向 及 特 色 | 代 表 性 成 果 简 介 |
面向下一代存储,存内计算以及边缘计算,基于新型存储器的器件,电路以及系统的研究。 | 领导了16Mbit RRAM芯片从工艺集成,器件设计,电路设计,芯片架构到流片成功,实现了高良率和高可靠性的RRAM独立芯片。基于实现的RRAM芯片,创立了合肥睿科微电子有限公司。在先进CMOS逻辑和存储器件设计有丰富的经验,基于先进节点的FDSOI平台,打破了B Boltzeman极限,实现了最低的晶体管亚阈区斜率,同时集成了无电容DRAM存储器,完成了SoC芯片平台的集成。 |
获奖名称、颁奖单位等级本人排名获奖时间 |
本人近五年来发表高水平论文情况(限填10篇) |
发表论文名称发表刊物本人排名是否通讯发表时间Resistive Random Access Memory for Future Information Processing SystemProceedings of the IEEE2/8否(2017-09)Performance Improvements by SL-Current Limiter and Novel Programming Methods on 16MB RRAM ChipInternational Memory Workshop2/10否(2017-05)Suppression of relaxation effect in HfO2 resistive random access memory array by improved program operationsApplied Physics Express3/9否(2016-05)Realizing super-steep subthreshold slope with conventional FDSOI CMOS at low-bias voltagesInternational Eletrcon Device Meeting1/10是(2010-12)A novel low-voltage biasing scheme for double gate FBC achieving 5s retention and 1016 endurance at 85° CInternational Eletrcon Device Meeting1/10是(2010-12) |
本人目前正在承担的科研项目(仅限于主要负责人) |
项目名称、来源、经费指标卡号总经费(万元)本人经费(万元)起止日期 |
本人近五年出版专著、申请专利及获奖情况 |
出版专著名称、出版社总字数(万字)本人字数(万字)出版时间 |
应用、鉴定成果、专利(专利号)类型、等级本人排名公开时间Rram process integration scheme and cell structure with reduced masking operatioPCT1/22019-09Techniques for initializing resistive memory devicesPCT1/22019-12Methods for operating a semiconductor devicePCT1/42013-12 |